A Samsung Foundry alterou o seu roteiro de produção e decidiu adiar a estreia do processo de fabrico de 1,4 nm (SF1.4) de 2027 para 2029. De acordo com informações avançadas pelo Tom's Hardware durante a conferência NGL 2026, a fabricante sul-coreana prefere dedicar os próximos três anos a aperfeiçoar e rentabilizar a sua família de processos de 2 nm (SF2).
Foco na rentabilidade dos 2 nm e contratos de longo prazo
Esta alteração de calendário reflete uma estratégia focada no aumento do rendimento de produção (yields) e nos volumes comerciais da gama SF2, em vez de acelerar prematuramente para uma nova litografia. O portfólio de 2 nm inclui variantes como SF2P, SF2X, SF2A e SF2Z, esta última equipada com fornecimento de energia pela parte traseira do chip. A decisão visa também garantir o cumprimento do contrato de longo prazo estabelecido com a Tesla para o fornecimento de processadores AI5 e AI6 até 2033.
Para além disso, a empresa planeia adotar películas protetoras (pellicles) nas máscaras fotográficas EUV, uma mudança técnica que obriga a rever os processos de fabrico programados para os nós do futuro. Para os consumidores e para o mercado europeu, esta desaceleração traduz-se numa maior maturidade e estabilidade dos chips de 2 nm que vão equipar dispositivos de topo nos próximos anos.
Adoção de litografia High-NA EUV reservada para os 1 nm
No que respeita ao salto para a litografia de ultravioleta extremo com elevada abertura numérica (High-NA EUV), a marca confirmou que a tecnologia só entrará em produção comercial na classe de 1 nm (SF1A ou nó A10), projetada para por volta de 2030. Por essa altura, a linha de 1 nm irá coexistir com o SF1.4+, uma versão aprimorada de 1,4 nm baseada em equipamentos Low-NA EUV tradicionais com abertura de 0,33.
Embora a fabricante possua um scanner ASML Twinscan EXE:5000 com abertura numérica de 0,55 há mais de um ano para investigação, a transição para produção em massa foi travada devido aos custos elevados e a desafios técnicos. Chang Min Park, vice-presidente máster de tecnologia na Samsung Electronics, explicou no evento que a empresa pretendia aplicar High-NA EUV a nós de 2 nm e 1,4 nm, mas a tecnologia ainda exige melhorias antes de se tornar indispensável a partir do nó A10.
Os scanners High-NA EUV exigem investimentos massivos, utilizam um campo de exposição mais pequeno (o que pode exigir a junção de dados ou die stitching em chips de grandes dimensões) e requerem fotorresistentes, máscaras e metrologia inteiramente novos. Com esta calendarização, a gigante tecnológica adota uma postura mais prudente do que a Intel, que prevê utilizar High-NA EUV na tecnologia 14A, e alinha-se com a visão da TSMC, que projeta o uso massivo desta ferramenta para a década de 2030.
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