Enquanto decorre a distribuição dos aceleradores Vera Rubin, a NVIDIA já movimenta a cadeia de fornecimento industrial para preparar o salto geracional seguinte. Denominada Feynman, a nova plataforma está prevista para a segunda metade de 2028 e promete reunir os avanços mais complexos da semicondutora, desde litografia de ponta a ligações ópticas integradas.
Litografia TSMC A16 e empilhamento 3D aceleram desempenho
O fabrico do processador central da arquitetura Feynman deverá ficar a cargo do nó A16 da TSMC, uma evolução da família de 2 nanómetros. Este processo introduz a tecnologia Super Power Rail, responsável por transferir a alimentação elétrica para a parte posterior do circuito integrado e por responder à solução Power Via da Intel. Ao separar o fornecimento de energia das rotas de sinal, a fabricante reduz o congestionamento interno e melhora a eficiência de corrente em matrizes com elevada densidade de transístores.
Face ao processo N2P, a litografia A16 oferece um aumento de desempenho entre 8% e 10% com o mesmo consumo energético, ou uma redução do consumo entre 15% e 20% à mesma frequência de relógio. A esta melhoria junta-se um ganho de densidade de transístores entre 7% e 10%, uma margem crucial para processadores gráficos focados em inteligência artificial. Para integrar estes componentes, a estrutura abandona o formato plano da geração Rubin e adota o empilhamento vertical de silício em 3D através da tecnologia TSMC SoIC, rivalizando diretamente com a solução Intel Foveros.
Conexões ópticas e memória HBM personalizada mudam o alcance da IA
Outra inovação marcante da arquitetura reside na introdução de CPO (Co-Packaged Optics), técnica que integra módulos ópticos diretamente no próprio encapsulado do chip. O objetivo passa por substituir as ligações elétricas tradicionais em cobre, cujos limites físicos de alcance e dissipação térmica causam estrangulamentos na comunicação de milhares de aceleradores interligados em centros de dados. A empresa prevê empregar esta tecnologia na plataforma Kyber, combinada com módulos de memória HBM desenhados à medida por parceiros como a Samsung e a SK Hynix.
A resposta da cadeia de fornecedores reflete-se na aceleração da construção das instalações fabris AP7 e AP8 da TSMC, direcionadas para aumentar a capacidade de produção de tecnologias SoIC, CoWoS-L e do futuro formato CoPoS. Para os consumidores em Portugal e no resto do mercado europeu focados no segmento de jogos eletrónicos, os reflexos destas tecnologias chegarão anos mais tarde através de arquiteturas derivadas. Perante um plano industrial deste calibre, concorrentes como a AMD e a Intel enfrentam um desafio substancial para alinhar uma resposta equivalente no mesmo horizonte temporal.
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