A indústria dos semicondutores está prestes a assistir a uma mudança significativa impulsionada pela Xiaomi. A equipa de investigação de Radiofrequência (RF) da gigante tecnológica conseguiu um feito notável, vendo o seu artigo científico ser selecionado para a prestigiada conferência IEDM 2025. O anúncio foi feito pelo próprio CEO, Lei Jun, confirmando um avanço crucial na tecnologia de Nitreto de Gálio (GaN) aplicada a dispositivos móveis.
Este desenvolvimento promete resolver um dos maiores entraves à próxima geração de conectividade, focando-se na eficiência energética necessária para suportar as exigências das futuras redes 6G.
O fim da linha para as tecnologias atuais
Com a transição gradual do 5G para o 6G, a velocidade de transmissão de dados exigirá um consumo de energia que as tecnologias atuais têm dificuldade em suportar. Durante as últimas quatro décadas, a indústria dependeu largamente de amplificadores baseados em Arsenieto de Gálio (GaAs). No entanto, este material está a atingir o seu limite físico em termos de gestão térmica e eficiência energética.
Embora o Nitreto de Gálio (GaN) seja conhecido por ser um material superior, a sua aplicação em smartphones tem sido travada por um obstáculo técnico: a necessidade de operar a voltagens elevadas, tipicamente entre 28V e 48V. Estes valores são impraticáveis para a bateria de um telemóvel comum, criando um fosso entre a alta performance e a eletrónica de consumo.
Segundo as informações partilhadas por Lei Jun na rede social Weibo, a equipa da marca conseguiu finalmente quebrar esta barreira, desenvolvendo uma solução de GaN baseada em silício de baixa voltagem.
Eficiência recorde a apenas 10V
A inovação descrita no artigo selecionado para a IEDM 2025 detalha um Transístor de Alta Mobilidade (GaN HEMT) capaz de operar a uma voltagem de apenas 10V, tornando-o perfeitamente compatível com a arquitetura de energia dos smartphones modernos.
Conforme reportado pelo portal IT Home, esta nova tecnologia atinge uma eficiência de potência acrescentada (PAE) superior a 80%. Este número representa um salto qualitativo face às soluções anteriores, permitindo uma maior densidade de potência sem os problemas de sobreaquecimento associados aos materiais tradicionais.
Ao otimizar os semicondutores e minimizar as perdas de radiofrequência, a fabricante demonstrou que é viável incorporar o GaN na parte frontal de RF dos telemóveis. Este avanço não só valida a tecnologia perante a comunidade académica internacional, como abre portas à produção em massa num futuro próximo, prometendo equipamentos mais rápidos, eficientes e com menor aquecimento.
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