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memória flash

 

A Samsung revelou o novo padrão focado para armazenamento em dispositivos moveis de elevado desempenho, com a chegada do novo Universal Flash Storage (UFS) 4.0.

 

O UFS 4.0 pretende ser a nova geração de armazenamento focada para dispositivos como smartphones e tablets, fornecendo mais desempenho e algumas novidades face à geração anterior do UFS 3.1.

Esta nova versão conta com velocidades de leitura de dados até 4200 MB/s, ou seja, basicamente o dobro do existente anteriormente. Na velocidade de escrita este valor atinge os 2800 MB/s, com a Samsung a afirmar ser 1.6 vezes mais rápido.

 

A Samsung afirma que foi possível obter estas velocidades de transferências de dados devido ao uso de novas tecnologias, como é o caso da 7ª geração de V-NAND, a qual permite ter até 176 camadas de memoria Flash. A nível da capacidade de armazenamento, a empresa refere que o UFS 4.0 vai estar disponível até 1TB – mas a capacidade final pode ir consideravelmente acima desse valor no futuro.

 

UFS 4.0 flash

 

A empresa também sublinha que o UFS 4.0 será até 46% mais eficiente a nível energético que o UFS 3.1.

 

Espera-se que a produção em massa de dispositivos com UFS 4.0 venha a começar durante o terceiro trimestre de 2022, com os primeiros dispositivos a usarem a tecnologia até ao final de 2022 ou inícios de 2023.

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