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Chip da IBM

A IBM revelou uma nova tecnologia de semicondutores que quebra a barreira do nanómetro, alcançando o nó de 0,7 nanómetros através de uma estrutura tridimensional inédita. De acordo com o comunicado oficial da IBM, este avanço de engenharia consegue duplicar a densidade de transístores face aos padrões anteriores, abrindo caminho para um salto significativo no processamento de dados e no respeito pelo meio ambiente através do menor consumo energético.

O segredo da arquitetura nanostack

Em vez de posicionar os componentes eletrónicos apenas na horizontal, a empresa optou por empilhar os transístores verticalmente numa estrutura proprietária batizada de nanostack. Esta abordagem permite alojar perto de 100 mil milhões de transístores numa superfície minúscula, equivalente à área de uma unha humana. Graças a esta disposição em camadas, torna-se possível combinar materiais distintos em cada nível empilhado, otimizando o fluxo elétrico e o rendimento de cada transístor de forma totalmente independente. Na prática, este formato inovador supera substancialmente a densidade dos chips de 2 nanómetros que a marca tinha apresentado em 2021.

detalhes dos novos chips da IBM

Impacto no mercado e produção comercial

Os dados técnicos hoje divulgados apontam para ganhos operacionais expressivos, com a capacidade de entregar até 50% mais desempenho ou uma redução de 70% no consumo de energia. Esta evolução promete transformar o panorama da inteligência artificial generativa e as grandes infraestruturas de computação em nuvem, trazendo benefícios práticos para os dispositivos que utilizamos no quotidiano. O projeto foi conduzido no centro de investigação de Albany, em Nova Iorque, em estreita colaboração com parceiros industriais de peso como a ASML, Lam Research, Tokyo Electron e SCREEN Semiconductor Solutions. Os consumidores em Portugal e no resto do mercado europeu terão de aguardar algum tempo, uma vez que a transição para a produção comercial em larga escala está apontada para daqui a cerca de cinco anos, estando dependente da maturação dos complexos equipamentos de litografia industrial.

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