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Kioxia chip de memória

A Kioxia e a SanDisk revelaram a memória flash de maior densidade do mundo durante a conferência Future of Memory and Storage. Trata-se do novo componente 3D QLC NAND de décima geração, batizado de BiCS10, que integra 332 camadas ativas e atinge velocidades de transferência até 4.800 MT/s, marcando um avanço significativo no setor do armazenamento empresarial.

Salto técnico focado em centros de dados e IA

O novo chip alcança uma densidade de área de 37 gigabits por milímetro quadrado, valor que supera os dados da geração anterior e coloca o dispositivo no topo do mercado em termos de densidade 3D NAND. Embora as marcas não tenham divulgado a capacidade final exata por unidade, estima-se que a estrutura interna ofereça cerca de 1,33 terabit, mantendo dimensões semelhantes às de arquiteturas recentes.

Esta tecnologia foi desenvolvida para satisfazer as exigências de servidores empresariais e unidades SSD em centros de dados, onde os fluxos de trabalho de inteligência artificial exigem velocidade constante e elevada capacidade. Para gerir o consumo energético, foi implementada uma técnica inédita de redução do gasto elétrico sem comprometer a estabilidade do sinal ou o desempenho.

Eficiência de custos e perspetivas de mercado

Além dos ganhos em desempenho, a nova arquitetura promete diminuir os custos de fabrico à medida que a produção em massa for escalada. O objetivo passa por disponibilizar unidades de grande capacidade a preços mais competitivos no mercado empresarial.

Alper Ilkbahar, diretor de tecnologia da SanDisk, destacou o impacto do avanço: "Ao redefinir os limites de desempenho e de eficiência do QLC NAND, a nossa memória flash BiCS QLC 3D de décima geração entrega ganhos simultâneos em densidade, largura de banda e eficiência energética, estabelecendo um novo paradigma para o armazenamento flash de alta capacidade para fornecer uma base escalável a aplicações de infraestrutura de próxima geração."

De momento, a produção destina-se em exclusivo a ambientes corporativos, não existindo previsões sobre a chegada desta tecnologia aos SSDs de computadores pessoais. No cenário competitivo, rumores indicam que a Samsung trabalha num protótipo NAND com 990 camadas, enquanto a SK Hynix alterou os materiais dos seus componentes para rivalizar no setor.

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