A indústria de semicondutores prepara uma viragem na produção de processadores de última geração com o compromisso da Samsung e da TSMC na adoção dos equipamentos de litografia de ultravioleta extrema de elevada abertura numérica (High NA EUV). Segundo um comunicado emitido pela ASML, as duas gigantes do setor vão juntar-se à Intel na implementação desta tecnologia. Em simultâneo, as três empresas revelaram uma iniciativa conjunta para transitar para fotomáscaras de formato alargado de 12 polegadas, visando aumentar o rendimento dos wafers e reduzir os custos de fabrico.
Calendário de implementação e estado atual do High NA EUV
A integração dos novos sistemas de litografia será realizada de forma faseada. A Samsung prevê começar a produzir memórias DRAM com recurso à tecnologia NA EUV até 2028. Por seu lado, a TSMC planeia implementar o processo em nós de fabrico avançados a partir de 2030. No entanto, a transição para esta tecnologia envolve desafios complexos de escala, podendo surgir estrangulamentos na cadeia de produção que afetem estes prazos.
Até ao momento, a tecnologia High NA EUV tinha sido implementada exclusivamente pela Intel no seu processo 18A, utilizado em processadores selecionados da gama Core Ultra Series 3 (Panther Lake). A empresa encontra-se igualmente a desenvolver a versão aprimorada 18A-P, que está sob avaliação pela Apple para os futuros chips da série A do iPhone. Segundo dados revelados pela ASML, a Intel já produziu mais de um milhão de wafers recorrendo a este processo.
Fotomáscaras de 12 polegadas prometem ganho de produtividade de 40%
Para além do equipamento de litografia, a ASML estabeleceu uma parceria com a TSMC e a Samsung para substituir o padrão atual de fotomáscaras de 6 polegadas por novas fotomáscaras de 12 polegadas. Estas estruturas funcionam como moldes para imprimir os padrões dos circuitos nos wafers de silício. Outra grande fabricante de memórias, a SK Hynix, encontra-se atualmente a avaliar a sua adesão a este consórcio.
A transição para máscaras de maior dimensão resolve uma limitação física do processo NA EUV. Atualmente, a impressão em chips de grande tamanho exige a junção de vários padrões ("stitching"), o que adiciona complexidade e custos à produção. As fotomáscaras de 12 polegadas permitirão imprimir circuitos mais finos diretamente em chips maiores sem necessidade de junções, simplificando o processo.
A ASML prevê iniciar os testes das instalações para fotomáscaras de 12 polegadas em 2031, estimando o arranque da produção para 2033. Segundo Marco Pieters, diretor de tecnologia da ASML, a concretização bem-sucedida desta mudança a nível industrial permitirá elevar a produtividade destes sistemas até 40%.
Nenhum comentário
Seja o primeiro!