A Samsung revelou novas soluções de memória durante a conferência FMS 2026, com foco no aumento de densidade e na eficiência energética. A fabricante destacou a nova arquitetura tridimensional zHBM e a memória flash V10 BV-NAND, desenvolvidas para acompanhar as exigências de processamento de IA em aceleradores modernos.
Com a introdução da tecnologia zHBM, a marca propõe alterar a disposição física dos chips de memória nos aceleradores. Em vez da distribuição horizontal tradicional ao lado do processador, a nova abordagem posiciona a memória verticalmente sobre o próprio chip de cálculo.
Empilhamento vertical para aceleradores de alto rendimento
De acordo com os dados apresentados, a integração do zHBM numa interface de próxima geração permite atingir cerca de 8 vezes o rendimento do padrão HBM5. A alteração estrutural otimiza a comunicação interna entre os componentes e reduz a distância percorrida pelos dados no sistema.
A arquitetura atinge também uma densidade de memória mais de 10 vezes superior à do HBM5. A tecnologia triplica a eficiência energética e reduz a resistência térmica em mais de 50%, um fator crítico para gerir o calor gerado por processadores de alto consumo. Entre o processador e a memória, a empresa incluiu uma camada intermédia capaz de integrar propriedade intelectual personalizada.
Nova arquitetura V10 ultrapassa fasquia das 400 camadas
No segmento do armazenamento flash, a marca estreou a V10 BV-NAND, a sua primeira memória construída através do processo de união de obleas. A tecnologia permitiu ultrapassar a fasquia das 400 camadas, registando um aumento de densidade de 58% face à geração V9 anterior. O avanço surge num momento de forte disputa no setor, onde marcas como a Kioxia têm apresentado soluções com elevada contagem de camadas.
A empresa detalhou ainda a zNAND-O, uma solução tridimensional de baixa latência direcionada para aplicações de Edge AI, com versões de 4 e 8 camadas. O conjunto de anúncios reflete uma estratégia focada na construção tridimensional sobre o silício para responder às necessidades de infraestrutura dos próximos anos.
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