A Samsung pode ser mais conhecida pelos seus smartphones, mas a empresa possui um vasto leque de produtos no mercado, incluindo nos chips de memória. E é aqui que surgem agora algumas novidades.
A empresa revelou ter desenvolvido recentemente o primeiro conjunto de módulos de memória RAM DDR5 de 512GB, usando a tecnologia High-K Metal Gate (ou HKMG). Esta tecnologia não é propriamente nova no mercado, tendo sido usada pela primeira vez em 2018 com a chegada das memórias GDDR6 para placas gráficas, e permite, resumidamente, obter uma melhoria de desempenho enquanto reduz as necessidades energéticas.
No entanto, é a primeira vez que a tecnologia é usada sobre um conjunto de módulos de memória RAM dedicados DDR5, e que se espera vir a permitir aumentar o desempenho da mesma para as mais variadas tarefas. A Samsung refere que estes módulos encontram-se adaptados para operações exigentes de IA ou análise de dados.
Além disso, a empresa também usou um conjunto de chips de memória empilhados, de 16GB cada, que permite obter a elevada capacidade final. Ao mesmo tempo, os módulos contam com quase o dobro da velocidade de transferência de dados em comparação com os tradicionais DDR4 – no total cerca de 7200 megabits por segundo.
Obviamente, estes géneros de módulos encontram-se focados para usos específicos, e não se espera que venham a ter uma aplicação prática para computadores desktop pessoais num futuro próximo. Pelo menos enquanto a tecnologia estiver a dar os primeiros passos.
Nenhum comentário
Seja o primeiro!