A Intel avançou com o pagamento imediato de bónus especiais aos trabalhadores que realizem horas extraordinárias nas obras do seu novo complexo de semicondutores em Ohio, nos Estados Unidos. Segundo uma fuga de informação recente do próprio projeto, a medida visa encurtar os prazos de construção e mitigar os atrasos acumulados na edificação da infraestrutura.
Este esforço financeiro surge numa altura em que a procura por chips destinados ao mercado de inteligência artificial (IA) cresce de forma acentuada. A administração da tecnológica procura agora recuperar semanas ou meses no cronograma global, justificando os incentivos financeiros diretos para acelerar as frentes de trabalho.
O calendário de Ohio One e a pressão do mercado
O megacomplexo industrial, batizado de Ohio One, estende-se por uma área aproximada de 405 hectares, o equivalente a cerca de quatro quilómetros quadrados. O investimento total anunciado pela Intel supera os 28 mil milhões de dólares — cerca de 25,8 mil milhões de euros —, contemplando a criação inicial de dois grandes módulos de fabrico de silício.
A primeira fábrica, conhecida internamente como Mod 1, deverá concluir a sua construção em 2030, estando previsto o arranque das operações fabris entre 2030 e 2031. O segundo bloco estrutural, o Mod 2, deverá estar finalizado em 2031, entrando em pleno funcionamento no decorrer do ano de 2032.
Estes prazos representam um adiamento considerável face ao plano original delineado em 2022, altura em que a Intel estimava iniciar a produção comercial de chips em Ohio já em 2025. A empresa tinha reduzido intencionalmente a velocidade das obras para gerir o fluxo de capital, mas a forte expansão da IA forçou a reversão dessa estratégia.
Desafios técnicos no encapsulamento avançado
Em paralelo com a expansão das infraestruturas físicas, a divisão Intel Foundry registou avanços na validação da sua tecnologia de encapsulamento avançado EMIB-T. Desenvolvida para competir diretamente com a arquitetura CoWoS-L da TSMC, a plataforma alcançou rendimentos operacionais de teste próximos dos 90%.
O sistema EMIB-T introduz pequenos pontes de silício diretamente no substrato orgânico para interligar chiplets e memórias de alta largura de banda (HBM). A variante atual adiciona vias verticais TSV para aperfeiçoar o fornecimento de energia elétrica e viabilizar designs de empilhamento tridimensional de elevada complexidade.
Dados partilhados pelo analista Ming-Chi Kuo revelam que, apesar de o rendimento de 90% ser promissor, a viabilidade económica em larga escala exige valores na ordem dos 98%. Com a taxa atual, um em cada dez pacotes produzidos tem de ser descartado, enquanto a meta ideal reduz essa perda para um em cada cinquenta.
O principal obstáculo reside na produção dos próprios substratos orgânicos que integram os componentes de silício, cujo rendimento atual estabilizou perto dos 50%. Fornecedores especializados como a Ibiden, Shinko, Unimicron e AT&S continuam a trabalhar na otimização das peças, mas a Unimicron estima que a verdadeira produção massiva da plataforma EMIB-T só aconteça em 2027.
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