A fabricante chinesa ChangXim Memory Technologies (CXMT) alicerçou o desenvolvimento das suas memórias DRAM em tecnologia furtada à Samsung. A revelação surgiu num tribunal sul-coreano, onde um antigo funcionário da gigante tecnológica detalhou o esquema de apropriação industrial, segundo avançou o Maeil Business na terça-feira (18).
O ex-colaborador, identificado apenas como Jeon, trabalhou durante 28 anos na empresa responsável pela linha Galaxy antes de transitar para a marca chinesa em 2016. Durante o julgamento, que culminou numa condenação a sete anos de prisão pelo desvio de segredos corporativos, o engenheiro assumiu que a CXMT optou por aproveitar os métodos da sua antiga entidade patronal em vez de investir em investigação de raiz. Até ao momento, a empresa sediada na China não comentou as acusações.
O atalho de 600 passos para o sucesso
O material obtido ilegalmente inclui um Plano de Receita de Processos (PRP) composto por 600 etapas da gigante sul-coreana. Estes documentos confidenciais mapeiam toda a sequência de produção de memórias DRAM e as especificações precisas do equipamento necessário. Entre os dados desviados constam parâmetros de implantação, tipos de ferramentas, temperaturas, pressão e técnicas de otimização de rendimento, com particular foco na tecnologia de 18 nm.
Durante a audiência no tribunal, a confissão foi perentória: "Desde o início, o CEO e o CTO da CXMT tentaram desenvolver DRAM roubando informações do Plano de Receita de Processo (PRP) da Samsung Electronics", afirmou Jeon. O antigo funcionário detalhou o contexto da nova empregadora, explicando que "a CXMT não possuía institutos ou instalações de pesquisa na época de sua fundação e não tinha a intenção de desenvolver tecnologia por meio de pesquisa própria".
Um salto tecnológico sob suspeita
A posse destes procedimentos operacionais tem um peso imenso na indústria dos semicondutores. Como analisa o site Tom's Hardware, uma cópia teórica dos processos não garante uma linha de montagem imediatamente funcional — os engenheiros continuam a depender de ferramentas idênticas e de engenharia reversa sobre a estrutura dos transístores de produtos já comercializados. No entanto, o acesso a este nível de detalhe técnico corta drasticamente o tempo necessário para desenvolver um novo nó de produção.
O histórico da marca reflete essa vantagem competitiva. Enquanto a norma do setor exige ciclos de três a cinco anos para projetar uma arquitetura de fabrico, a CXMT conseguiu iniciar a produção de SDRAM DDR4 em 2019 através do processo de 22 nm, transitando para os 18 nm logo em 2023. Perante as evidências reunidas pelos promotores, os especialistas do mercado apontam que a empresa sul-coreana deverá avançar com um processo por violação de segredos comerciais assim que o testemunho for formalmente validado pela justiça.
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