A Samsung tem vindo a fazer alguns progressos no desenvolvimento de algumas novas tecnologias de memórias DRAM, e a chegada das novas DDR5 veio também trazer avanços para este setor.
De acordo com os rumores mais recentes, a empresa encontra-se agora a desenvolver internamente uma nova geração de módulos de memória, que podem permitir aumentar a capacidade dos mesmos até 1TB. Anteriormente os rumores já apontavam que a empresa estaria a desenvolver esta tecnologia, mas apenas para o DDR6.
Ao que parece, a empresa conseguiu contornar as limitações, trazendo as novidades para a geração atual de memórias. Estes chips possuem um consumo de energia ligeiramente mais elevado, na casa dos 1.1V, mas permitem funcionar em velocidades de 7200 MHz.
Obviamente, a tecnologia ainda está em desenvolvimento, portanto pode demorar algum tempo até que venha a surgir em produtos finais para os consumidores. E, a chegar, deverá ser primeiro para o setor dos centros de dados e servidores.
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