A Samsung começou a enviar as primeiras amostras da sua nova memória HBM4E para clientes globais que operam infraestruturas de grande escala focadas em inteligência artificial. Este passo surge cerca de um mês após a tecnológica suspender a produção em massa da memória DRAM convencional de 10 nm, devido aos custos de produção que ultrapassavam os lucros esperados.
Desempenho superior e eficiência térmica
A estrutura desta HBM4E combina o processo DRAM de sexta geração de 10 nm com uma base lógica de 4 nm, produzida diretamente pela divisão de semicondutores da empresa. Esta configuração garante uma velocidade estável de 14 Gbps, tendo a capacidade para escalar até aos 16 Gbps. Na prática, a nova tecnologia reflete-se num desempenho 20% superior ao da norma HBM4, com uma largura de banda que chega aos 3,6 TB/s por pacote, acelerando o processamento de grandes modelos de linguagem.
Cada pacote integra 12 camadas empilhadas que perfazem 48 GB de capacidade nesta versão inicial, garantindo uma eficiência energética 16% superior e uma redução de 14% na temperatura durante a operação. A fabricante tem também planeado o lançamento de variantes com 32 GB e 64 GB ainda em 2026, com o intuito de dar resposta a diferentes perfis de clientes.
Lucros históricos impulsionados pela elevada procura
O negócio focado em hardware de alto desempenho tem gerado resultados muito positivos para a marca sul-coreana. No primeiro trimestre de 2026, a divisão de semicondutores da empresa alcançou o melhor trimestre da sua história, registando um lucro operacional de aproximadamente 35,8 mil milhões de euros.
A forte procura pelos componentes e os preços elevados da tecnologia DRAM convencional assumiram-se como os principais responsáveis por este crescimento financeiro. Os responsáveis da fabricante confirmam que a capacidade produtiva da empresa já se encontra totalmente reservada pelos clientes até 2027.
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