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Memória VNAND Samsung

 

A Samsung confirmou ter começado a produção da sua nova geração de memórias V-NAND de 8ª geração, que permitem capacidades até 1TB por chip.

 

Esta nova tecnologia vai abrir portas para uma nova geração de memórias e sistemas de armazenamento, com tecnologias de elevada densidade que permitem capacidades de até 1 TB. Isto deverá alargar as opções de armazenamento para o futuro, nomeadamente para ambientes de centros de dados.

 

A Samsung afirma que a sua 8ª geração de memórias V-NAND vão permitir acompanhar a evolução natural da tecnologia no mercado, que cada vez mais necessita de capacidade de armazenamento e de novas tecnologias para tal.

 

Além do aumento da capacidade, estes módulos contam ainda com velocidades consideravelmente mais elevadas de 2.4 Gbps, que é superior aos 2 Gbps atingidos pelas gerações anteriores. A Samsung afirma que este aumento de velocidade encontra-se adaptado para o futuro das tecnologias PCIe 4.0 e 5.0.

 

Para já, o foco principal destes chips será o mercado do armazenamento em centro de dados, embora a empresa espere que o mesmo venha também a ser usado por fabricantes de automóveis, e eventualmente noutras áreas mais abrangentes.

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