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memória RAM

 

A SK Hynix aproveitou a conferência SK AI Summit 2025, realizada esta segunda-feira (3), para apresentar o seu ambicioso roadmap de lançamentos até 2031. Com um foco claro em Inteligência Artificial, a lista inclui novidades de peso que vão moldar desde centros de dados a computadores pessoais e smartphones, como a RAM DDR6 e os primeiros SSDs PCIe 6.0 da marca.

 

O que esperar entre 2026 e 2028

 

O plano da gigante sul-coreana está dividido em duas fases. No primeiro período (2026-2028), os destaques começam pela memória HBM4E personalizada. Esta solução, destinada a servidores, inova ao integrar na própria RAM os controladores e interfaces de comunicação que habitualmente residem no processador. O objetivo é libertar espaço para que CPUs e GPUs possam ter mais núcleos e componentes lógicos.

 

Nesta janela, veremos também a chegada das memórias LPDDR6 (anunciadas em julho) para portáteis e telemóveis, armazenamento UFS 5.0 e, crucialmente, os primeiros SSDs PCIe 6.0 da SK Hynix para consumidores (cSSD) e empresas (eSSD).

 

Embora outras empresas, como a Micron, já tenham lançado SSDs PCIe 6.0 para centros de dados (capazes de atingir 28 GB/s), este anúncio é um forte indício de que a AMD, Intel ou Qualcomm deverão adotar esta interface nos próximos dois anos.

 

Aceleração pós-2029: DDR6 e PCIe 7.0

 

O segundo período (2029-2031) promete lançamentos ainda mais disruptivos. É aqui que entra a memória DDR6, destinada a desktops, portáteis de alto desempenho e servidores. Embora não existam detalhes, esperam-se saltos de desempenho significativos.

 

Para o gaming, a empresa planeia o sucessor do padrão GDDR7 para placas gráficas, sugerindo que o GDDR7 atual (32 Gbps) ainda tem margem para evoluir até ao seu potencial máximo de 48 Gbps.

 

A SK Hynix prevê também os primeiros SSDs PCIe 7.0 para consumidores e armazenamento UFS 6.0 para telemóveis. A capacidade dos SSDs também irá disparar, graças à tecnologia NAND 4D com mais de 400 camadas (o limite atual é de 321).

 

HBF: A memória flash que quer ser tão rápida como RAM

 

Talvez a estreia mais interessante seja a da High Bandwidth Flash (HBF). Desenvolvida em parceria com a Sandisk, a HBF combina a memória Flash de armazenamento com recursos que elevam a sua velocidade para níveis próximos da RAM HBM.

 

A SK Hynix esclarece que a HBF não irá substituir a HBM, mas funcionará como uma solução complementar. O objetivo é garantir que as aplicações de IA tenham acesso ultrarrápido aos dados de que necessitam. Esta novidade não será exclusiva de servidores, estando também prevista para PCs e smartphones.

 

Como frisa o WCCFTech, é importante notar que este roadmap é composto por previsões a longo prazo, e vários fatores podem causar atrasos. Ainda assim, o plano da SK Hynix oferece uma visão clara das movimentações da indústria de hardware até, pelo menos, 2031.




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